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IBM e Samsung baterias vão durar até uma semana

 


Realizada em São Francisco (EUA) no último sábado (11), a IBM e a Samsung anunciaram o desenvolvimento conjunto de uma nova tecnologia que promete revolucionar a performance de aparelhos eletrônicos, inclusive celulares. A inovação envolve um novo projeto no design para os futuros semicondutores.



Efeito de Campo de Transporte Vertical (VTFET na sigla em inglês), a nova tecnologia, que promete aposentar a atual FinFET, consiste em um design que empilha transistores verticalmente em um chip. Isso permite que esses dispositivos semicondutores fiquem planos na superfície do silício, com os processadores de corrente e SoCs, permitindo que a corrente elétrica flua para cima e para baixo na pilha.



Atual tecnologia dos transistores de efeito de campo nadadeira (FinFET), que utiliza um layout horizontal lado a lado. Essa arquitetura, criada pela Intel, foi a primeira a utilizar transistores 3D em um design em forma de nadadeira de peixe.



Que a posição dos transistores garante um maior fluxo de corrente, com menos desperdício de energia. Isso permite produzir processadores duas vezes mais rápidos que os atuais, e com uma economia de 85% de energia em relação aos chips projetados com a arquitetura FinFET atual.



Tecnologia poderia levar à fabricação de smartphones capazes de funcionar uma semana inteira com uma única carga de bateria. Tarefas que atualmente consomem muita energia, como a criptomineração, poderiam ser executadas de forma eficiente, causando menos impactantes para o meio ambiente.









FONTE: DIA BRASIL NEWS, AJUDE NOSSO SITE COMPARTILHANDO CONTEÚDO NOSSO GALERA ...........


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